La escuela politécnica Suiza Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) ha conseguido que la eficiencia de las células llegue al 19,6% utilizándola metalización al vacío para así poder depositar y hacer crecer una capa semiconductora perovskita. Los investigadores han aplicado la tecnología del vacío (VASP) durante 20 segundos para lograr dicho resultado.
La perovskita es un mineral del grupo cuatro que es considerado relativamente raro en la corteza terrestre. Este mineral conocido como trióxido de titano y de calcio (CaTiO3) se cristaliza en el sistema cristalino ortorrómbico. La viabilidad de este elemento sigue creando cierto escepticismo en aplicaciones fotovoltaicas, pero gracias al exitoso método de procesamiento de vacío y su rendimiento significativo las cosas podrían cambiar. El equipo de EPFL ha realizado una serie de avances en la tecnología fotovoltaica perovskita.
Según los investigadores con este método se consigue una célula perovskita más uniforme y con menos impurezas. Además añaden que con el enfoque VASP no se requiere el cloro benceno tóxico para estimular el crecimiento del cristal de perovskita. El investigador Michael Grätzel, que es el director del equipo reconoció que es vergonzosamente simple, ya que aplicando este leve vacío solo por unos segundos acaban con el anti-disolvente.
También ha explicado Grätzel que el proceso de VASP ofrece un método para conseguir una perovskita de alta calidad a baja temperatura, ya que nunca se alcanzan más de 100ºC y un vacío muy leve. Es importante destacar que la estabilidad de la célula perovskita ha mejorado gracias al método de VASP, además los investigadores de EPFL afirman que la célula se mantuvo estable cuando se expone al aire durante un máximo de 39 días.
Gracias a este método se ha conseguido una película de perovskita suave y de un rendimiento importante del 19,6%. Lo que es una noticia muy buena, ya que demuestra que se está trabajando en el desarrollo de las células solares y esta es una alternativa más.
Fuente | PVMagazine
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